LL 系列采用 Kulite 的無(wú)鉛技術(shù)，展示了 Kulite 提供適合定制封裝的壓力傳感器的能力。 這些設(shè)備可以集成到各種測(cè)試物品中，例如風(fēng)扇葉片、各種類型的發(fā)動(dòng)機(jī)噴嘴等。這些傳感器的特點(diǎn)包括占地面積小、固有頻率高、的抗振動(dòng)和抗沖擊性以及寬溫度范圍。 數(shù)據(jù)表 PDF 圖標(biāo) 特征 無(wú)鉛技術(shù) VIS® 高固有頻率 出色的穩(wěn)定性 出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能 飛行測(cè)試和風(fēng)洞應(yīng)用的理想選擇

所有現(xiàn)代 Kulite 壓力傳感器中使用的傳感器都是介電隔離的絕緣體上硅 (SOI) 設(shè)備。這是 Kulite 傳感器與大多數(shù)其他硅壓力傳感器制造商使用的傳感器之間的根本區(qū)別。 Kulite 傳感器由原子結(jié)合在一起的三層復(fù)雜結(jié)構(gòu)組成。第一層是單晶N型硅。該層被微加工成機(jī)械壓力敏感膜片。隔膜的厚度隨預(yù)期的滿量程壓力范圍而變化。選擇厚度，以便該層在該滿量程壓力下將看到大約每英寸 350 到 400 微英寸的應(yīng)變。對(duì)于單晶硅來說，這是一個(gè)非常保守的應(yīng)變水平，可確保持久穩(wěn)健的機(jī)械傳感器運(yùn)行。第二層是二氧化硅，生長(zhǎng)在 N 型硅膜片的正上方。該層在 N 型硅和包含惠斯通電橋電路的層的 P 型硅之間提供電介質(zhì)隔離，從而在器件設(shè)計(jì)中消除 P-N 結(jié)并實(shí)現(xiàn)更高溫度的操作能力。