美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了 的測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法?？伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中是一種被廣泛選用的 檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類(lèi)似光照IV曲線(xiàn)的開(kāi)路電壓曲線(xiàn)，可以結(jié)合最后的IV曲線(xiàn)對(duì)電池制作過(guò)程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。主要應(yīng)用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝其它應(yīng)用：· 檢測(cè)原始硅片的性能· 測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況· 評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞· 用得到的類(lèi)似IV的開(kāi)壓曲線(xiàn)來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。

常見(jiàn)問(wèn)題：美國(guó)Sinton WCT-120與WT-2000測(cè)少子壽命的差異？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法，而WT2000是微波光電導(dǎo)衰減法。WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命的原理？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法（QSSPC）和微波光電導(dǎo)衰減法（MWPCD）的比較？QSSPC方法*于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過(guò)剩載流子進(jìn)行絕對(duì)測(cè)量，同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。

MWPCD方法測(cè)試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào)，而QSSPC方法能夠測(cè)試少子壽命的真實(shí)值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過(guò)剩載流子的變化曲線(xiàn)，而QSSPC直接就能夠測(cè)得過(guò)剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過(guò)剩載流子濃度的關(guān)系曲線(xiàn)，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè)，甚至更小的尺寸，在照射過(guò)程中，只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō)，結(jié)果并不具備代表性。主要特點(diǎn)：· 只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。少子壽命測(cè)試儀 硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng) wct-120WCT-120+Suns-Voc 技術(shù)規(guī)格設(shè)備功能：硅片的少子壽命測(cè)試

少子壽命測(cè)試儀性能參數(shù)：1. 測(cè)量原理：QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）；2. 少子壽命測(cè)量范圍：100 ns-10 ms；3. 測(cè)試模式：QSSPC，瞬態(tài)，壽命歸一化分析；4. 電阻率測(cè)量范圍：3–600 (undoped) Ohms/sq5. 注入范圍：1013-1016cm-3；6. 感測(cè)器范圍：直徑40-mm；7. 測(cè)量樣品規(guī)格：標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范圍：10–2000 μm；9. 外界環(huán)境溫度：20°C–25°C；10. 功率要求：測(cè)試儀： 40 W ， 電腦控制器：200W ，光源：60W；11. 通用電源電壓：100–240 VAC 50/60 Hz；